极客网7月9日（北京） 今天，一条“英特尔推出7nm芯片”的新闻传遍中国主流科技媒体，部分科技博客媒体甚至称“IBM凭此打了英特尔的脸”。作为一个在长期全球排名前三的IC公司混过3年的人，我对这一消息的第一印象是不相信，至少存在叙述不准确的地方。
为此我尝试查询消息的来源，在综合纽约时报、Datacenterknowledge等国外网站的报道后，基本可以确定国内媒体夸大其实了。IBM没有推出7nm制式的芯片，只是在实验室取得进展而已。
经极客网查证，原本消息是，IBM Research宣布，IBM、Global Foundries、三星和纽约州立大学理工学院（SUNY Polytechnic Institute）纳米科学和工程系联手研发出业界首个配备功能性晶体管的7nm测试芯片——是实验室测试芯片，并非推出或造出，更未让英特尔难堪。
上述外媒的报道强调，“要制造出7nm制式的半导体芯片还需要很长的时间。”IBM Research半导体技术副总裁Mukesh Khare称，通过使用SiGe（锗硅）材料及极紫外（EUV）光刻技术，IBM Research的研究员得以完成上述7nm测试芯片。
极客网总结下来：一，这是一块测试芯片，还停留在实验室阶段；二，这块测试芯片采用昂贵的锗硅材料，这种材料的芯片尚未被证明能够在民用领域推广，因为成本太高；三，这块芯片采用了非同寻常的蚀刻工艺。
实验室和商用是两码事，其中材料、工艺都是影响商用的致命因素。想当年，第一个发明IC的德州仪器年轻员工杰克·基尔比就是基于锗制出第一个集成电路的，这种材料并没有促使IC快速发展，直到罗伯特·诺伊思发明基于硅的集成电路，IC才正式开启快速商用之旅。
其实，业内人都知道，要讲芯片制式的领先，没有厂商可以挑战英特尔。要论“吹牛”，英特尔前任CEO保罗·欧德宁(Paul Otellini)三年前就表示，英特尔已开始对7纳米和5纳米制程技术的研究。
近期，英特尔高级研究员马克·玻尔(Mark Bohr)在一个技术交流场合表示，当前半导体技术的发展速度能维持到10纳米之后（预计是2016年），无需转向成本高昂的材料和高深的制造技术——例如紫外线激光蚀刻——厂商就可以生产出7纳米芯片，预计时间是2018年。
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